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金属电迁移测试结构

772   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:22
本发明设计半导体制造领域,尤其涉及一种金属电迁移测试结构。测试结构分为电迁移被测结构、电迁移阻挡结构、测试端口和探测端口。电迁移被测结构与电迁移阻挡结构相连,位于测试端口之间。测试结构具有三个探测端口,其中两个探测端口用来精确的确定电迁移被测结构是否失效,另一个探测端口用来探测精确的电迁移被测结构的温度,从而提升测试的准确度。
声明:
“金属电迁移测试结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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