本发明提供了一种存储器
芯片上测试单个比特的方法,包括步骤:提供存储器芯片,将所述存储器芯片减薄到目标比特的字线层;在所述字线层的栅极上形成导电层;提供测试信号给所述导电层,通过探针测试单个比特的电气特性。在本发明提供的存储器芯片上测试单个比特的方法中,首先将存储器芯片减薄到字线层,暴露出字线层的栅极,在栅极上形成导电层,然后通过给所述导电层提供测试信号,可实现将所有连接导电层的栅极打开,再通过探针测试单个比特的电气特性,完成存储器芯片上单个比特的失效测试。
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