本申请公开了一种测试绝缘双极型晶体管
芯片的方法,通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型;在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层;对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟,得到模拟失效数据,并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用,同时也影响着所述键合线与所述键合面的连接结构,因此,本申请提供的模型更贴近实际工作中的情况,得到的测试结果也就更准确。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置、设备及计算机可读存储介质。
声明:
“测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置及设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)