一种预测半导体器件寿命终点时NBTI动态涨落的方法,包括:通过对半导体器件进行测试,获取半导体器件在寿命终点时的失效几率;通过对多个半导体器件进行测试,获取某工作电压VG对应的特征失效几率;求出不同VG下在寿命终点时阈值电压的退化量ΔVth的均值在不同器件之间的方差,以及ΔVth的方差在不同器件之间的方差,以及不同VG对应的特征失效几率;对应大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD;这样,在半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落就可以表征出来。本发明提供了纳米尺度半导体器件寿命终点时的NBTI动态涨落有效的预测方法。
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