本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,该方法包括:判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲;连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次,其中Ln=n-1,n为自然数。利用本发明,极大加快了待测器件耐久性参数的获取。
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