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CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质

650   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:18
本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括:获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集,所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据;基于所述时间序列样本数据集得到训练集;用所述训练集训练时序模型,获得寿命预测模型;用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本,提高了产品质检效率,缩短了CMOS器件的生产周期,解决了CMOS器件生产效率低的问题。
声明:
“CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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