本发明提供一种重掺硅片氧碳含量的测试方法,包括:使用二次质谱仪检测一级标样的离子强度,计算出RSF值,利用RSF值计算出二级标样的碳氧元素浓度,与已知二级标样的碳氧元素浓度对比,在标准范围内则利用此RSF值计算待测样片的碳氧元素浓度。本发明的有益效果是有效的解决重掺硅片表面氧沉淀会造成漏电,使器件失效、高密度的氧沉淀又会形成缺陷,对产品带来一定的影响,而碳易与氧和缺陷构成复合体,诱生产品缺陷;利用现有检测法测试出来的碳氧元素浓度存在不确定性,不能确定RSF值是否准确的问题。
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