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GOI测试电路结构

754   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:14
本发明提供一种GOI测试电路结构,包括形成于一衬底内的多个呈条状且平行设置的AA区,相邻的AA区之间形成有STI,衬底上依次形成有栅氧化层、多晶硅栅极和多个计数结构,所有计数结构平行设置,每个计数结构对应设置在一个STI上方,每个计数结构靠近一个AA区设置,并用于对AA区中的热点进行定位,可以实现电性测试热点的清晰定位,并为物理剥层以及FIB切截面制备TEM样品时提供热点定位的标准,大大改善了GOI测试失效分析的效率,切中目标位置截面的成功率,还在制程上可实现性强,具有很高的实用价值。
声明:
“GOI测试电路结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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