本发明提供一种针对栅极开路电阻进行晶圆可接受度测试的样品处理方法,所述方法包括:将待测样品的正面与支撑样品粘合到一起;研磨待测样品的背面,直至待测样品的基底的厚度为1微米左右;使用硅腐蚀液处理待测样品直至露出形成于所述基底中的隔离结构。根据本发明,不会破坏栅极中的失效部位,可以更为有效地获取和分析关于栅极中的失效部位的信息。
声明:
“针对栅极开路电阻进行晶圆可接受度测试的样品处理方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)