本发明涉及一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。第一步:从预用单晶棒的头尾切取硅片,加工成抛光片;第二步:模拟键合工艺的热过程,将硅片在400℃~600℃条件下进炉热处理3~5小时后取出;第三步:深度化学腐蚀,腐蚀时间为40~45min,腐蚀去除量为120~140μm时取出硅片;第四步:在硅片上画格,再用金相显微镜观察每一个方格,若存在直径大于100μm的腐蚀坑,则判定为不合格;效果是:通过模拟MEMS工艺热过程和深度化学腐蚀,能够提前判定硅单晶是否合格。若硅片经历热过程和深度化学腐蚀后出现直径大于100μm的较大腐蚀坑,此棵单晶棒则不投入生产,可避免硅片在制作器件工艺过程后发现失效,减小了损失。
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