本申请涉及一种GaN功率器件的状态监测方法、装置、计算机设备和介质,获取待测器件的结温,根据结温对待测器件进行功率循环测试,获取功率循环测试过程中的待测器件的电气参数,电气参数包括
芯片级失效参数,根据电气参数以及状态监测模型得到状态监测结果,当状态监测结果指示待测器件未发生失效时,返回根据结温对待测器件进行功率循环测试,获取功率循环测试过程中的待测器件的电气参数。通过监测待测器件在多次功率循环测试中的电气参数,将待测器件芯片级失效相关的参数纳入考量,通过状态监测模型对电气参数进行分析,从而能够高效对待测器件的工作状态作出监测,有效了提高GaN功率器件状态监测结果的全面性以及准确性。
声明:
“GaN功率器件的状态监测方法、装置、计算机设备和介质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)