本发明涉及存储器失效分析技术领域,尤其涉及一种测试3D NAND字线电阻的方法,包括:步骤S1,将3D NAND减薄至暴露每层字线的第一接触孔和第二接触孔;步骤S2,在所述字线的第一端,形成金属垫覆盖每层所述字线的所述第一接触孔,以将每层所述字线的第一端电连接;步骤S3,在所述字线的第二端,选取一层待测试字线,在所述待测试字线的所述第二接触孔上标记出待测点;步骤S4,使用导电胶将所述金属垫引出至临近所述待测点的位置;步骤S5,选取所述导电胶上临近所述待测点的一量测点,使用探针量取所述量测点与所述待测点之间的电阻值,作为所述待测试字线的所述第一端和所述第二端之间的电阻值。
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