本实用新型涉及状态监测技术领域,公开了一种SiC MOSFET监测电路,包括采样模块,用于采集所述SiC MOSFET栅极的电信号;分析模块,与所述采样模块连接,用于将所述电信号与预设阈值进行比较,并根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET监测电路通过采样电路对所述SiC MOSFET的栅极电信号进行检测采集处理,并将采集到的电信号与预设阈值进行比较,根据比较结果判断所述SiC MOSFET是否老化失效。将本实用新型提供的所述SiC MOSFET监测电路应用在包含有SiC MOSFET器件的电路或系统中时,可以在不中断系统工作状态的情况下实现对所述SiC MOSFET器件状态的监测和老化失效预警,监测过程对系统正常工作的干扰小,且预测精度高。
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