本申请提供一种硅通孔的测试结构及测试方法,所述测试结构包括:半导体衬底;至少一种参考测试单元,位于所述半导体衬底中,用于输出测试数据,包括参考测试沟槽电容组以及硅通孔结构,其中所述参考测试沟槽电容组环绕所述硅通孔结构分布;基准测试单元,位于所述半导体衬底中,用于输出基准数据,包括基准测试沟槽电容组,所述基准测试沟槽电容组与所述参考测试沟槽电容组的结构相同。所述测试结构及测试方法可以监测TSV制备中对介电层产生的工艺影响,通过测试衬底和TSV间的电阻、电容和漏电流大小,来推算TSV隔离层的电性厚度及隔绝能力等性能,有助于制程出现问题时的辅助失效分析。
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