本发明公开了一种光刻机对准性能的检测方法,包括提供待曝光晶圆;制作掩膜板,其具有长方形和迭对标记图案;通过光刻,将掩膜板的长方形及迭对标记图案转移到晶圆上;通过平移非完整曝光单元曝光布局的方法,测量完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量,确定光刻机对非完整曝光单元对准补偿能力的失效边界,以此边界为基准,建立最敏感的检测曝光布局,从而建立更为全面和灵敏的光刻机对准性能的检测方法。
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