本申请公开了一种锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法,属于半导体制造技术,该方法包括:提供一硅衬底,所述硅衬底上制作有带有侧墙的栅极结构;在所述栅极结构两侧的区域制作沟槽;在沟槽内生成锗硅外延层;通过薄膜淀积工艺生长间隙层,所述间隙层在所述锗硅外延层的上方;检测颗粒缺陷,所述颗粒缺陷由生成所述锗硅外延层的工艺造成;解决了在锗硅当站因机台检验极限的限制,极微小颗粒缺陷的检出率不高的问题;达到了提高颗粒缺陷的检出率,降低了检验失效率和成本损失的效果。
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