合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法

采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法

853   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:03
一种采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法,适用于半导体硅衬底片生产厂对硅晶片体内缺陷的检测和控制,及时发现衬底片不良,减少成品器件的失效。本发明采用三次循环湿氧高温热氧化工艺和断面切割技术,使常规检测方法无法探测到的体内缺陷在多次热氧化过程中充分缀饰并长大,然后将氧化后的硅晶片选择表面不同位置切割成宽度为1.5至2.0cm的硅晶片长条(1),经过择优腐蚀后用双面胶将硅晶片长条(1)背面粘接在四氟垫块(2)上,用光学显微镜观察断面(3)形貌,并采用连续扫描法计数微观下的缺陷密度。本发明的检测方法,适合大规模和批量生产的工厂使用。
声明:
“采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记