本公开提供一种蚀刻缺陷检测方法,涉及半导体技术领域。该检测方法包括:提供衬底,衬底上依次形成有导电层以及介质层;对介质层进行蚀刻处理,以形成沟槽结构;以导电层作为阴极,采用电镀工艺在沟槽结构内填充电镀层,以形成待测产品;采用缺陷密度检测组件测试待测产品,以获取沟槽结构的顶视图像,根据顶视图像确定待测产品的蚀刻缺陷。本公开的蚀刻缺陷检测方法可提高缺陷识别准确率,防止电容因悬空而失效。
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