本发明公开了一种半导体激光器退化机制的检测方法,其包括:在同等条件下分别测量失效的半导体激光器的瞬态降温曲线和标准工作的半导体激光器的瞬态降温曲线,对两瞬态降温曲线进行比对,得到失效的半导体激光器的退化机制。本发明利用了半导体激光器瞬态传热特点,通过正向电压测结温的方法或者其他方法得到激光器的瞬态降温曲线,再通过比较失效后激光器的瞬态降温曲线和标准工作的激光器的瞬态降温曲线的差异来找到激光器发生退化的位置,并根据变化量的大小初步判定其可能的失效机制,从而快速的确定激光器失效的原因并找到解决方法,最终延长激光器的工作寿命。
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