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双极IC中集电极发射极漏电的三极管检测方法

1032   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:59
随着微电子技术的高速发展,集成电路的规模越来越大。由于制造工艺的原因,电路失效是无法避免的存在,如何快速准确地查找失效部位是失效分析工作的重点。现在一般通过EMMI(红外发光显微镜)、OBIRCH(激光扫描显微镜激光诱导电阻率变化)、离子探针等技术来定位漏电失效部位,但这些方法仪器昂贵、成本高、周期长。本发明利用IC不同浓度的掺杂区在被氧化腐蚀时所处的电位不等,反应速率不一样,经腐蚀后表面产生不同的颜色;而当存在漏电通路时,由于处于同一电位,腐蚀速率相同,颜色就会表现一样的原理。通过氢氟酸与硝酸混合液对IC中的硅产生持续腐蚀作用,提供了一种分析方便、成本低廉、可靠性高的IC中集电极发射极漏电的三极管检测方法。
声明:
“双极IC中集电极发射极漏电的三极管检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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