本发明涉及一种单片集成电路贮存寿命特征检测方法,包括步骤:对单片集成电路进行外观质量检查,并根据检查结果得到外检合格品和外检失效品;对外检合格品进行电参数测量,并根据测量结果得到终检合格品和终检失效品;对终检合格品进行可靠性特征分析,得到预测贮存寿命。通过对单片集成电路进行外观质量检查和电参数测量,选出功能未失效的合格品,并通过对合格品进行可靠性特征分析,得到集成电路的预测贮存寿命,从而可以估测导弹的贮存寿命,解决了对单片集成电路的贮存寿命特征的检测的问题。
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