本发明公开了基于瞬时功率检测的SiC MOSFET模块短路检测电路,包括漏极电压采集电路、漏极电流采集电路、高速模拟乘法器U
2和高速比较器CP
1,本发明解决了现有SiC MOSFET模块短路保护时存在的响应速度慢、易误触发的缺陷。本发明还公开了一种SiC MOSFET模块短路检测方法,漏极电压采集电路和漏极电流采集电路分别将采集的电压值和电流值传送到高速模拟乘法器U
2的乘积输入端,经过高速模拟乘法器U
2计算得出瞬时功率值,当瞬时功率值大于设定参考阈值V
ref,p时,高速比较器CP
1翻转送出故障关断信号,本发明避免了SiC MOSFET热失控或栅‑源极失效。
声明:
“基于瞬时功率检测的SiCMOSFET模块短路检测电路及短路检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)