本发明公开了一种用于分析湿气进入
芯片内部路径的方法,包括选取湿度可靠性测试失效芯片的晶圆;收集所述晶圆的原始测试数据,其中,所述原始测试数据包括原始工艺制程参数测试数据、原始晶圆级参数测试数据;对经过高温高湿试验后的所述晶圆进行清洁;收集清洁后的所述晶圆的试验测试数据,其中,所述试验测试数据包括原始工艺制程参数测试数据、试验晶圆级参数测试数据;根据所述原始测试数据与所述试验测试数据之间的差值的晶圆地图判断湿气进入芯片内部的路径。本发明通过创新改进湿气进入芯片内部路径的分析方法,能够高效判断湿气进入芯片内部的路径,同时能为晶圆制造商提供一种常规可靠性检测的有效手段。
声明:
“用于分析湿气进入芯片内部路径的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)