本发明涉及一种晶圆缺陷分析方法,包括:完成特定工艺步骤后,检测所述晶圆,将其上的晶粒分为缺陷晶粒和非缺陷晶粒,并按每个所述缺陷晶粒内的缺陷数对所述缺陷晶粒进行分类,得到第一检测结果;所有工艺全部完成后,对上述晶圆进行性能测试,将其上的晶粒分为工作晶粒和非工作晶粒,得到第二检测结果;根据所述第一检测结果和所述第二检测结果,对所述晶圆的晶粒进行再次分类;计算每种缺陷引起的缺陷诱致失效率和良率损失。本发明的晶圆缺陷分析方法准确可行,解决了现有技术缺陷分析不准确的缺陷。
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