本发明公开一种判别背栅
石墨烯场效应晶体管器件失效的方法,先在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压,在n型Si衬底和源极电极之间施加-4V~4V的栅压,得到石墨烯场效应晶体管的转移特性曲线,该转移特性曲线表现为双极性,则石墨烯场效应晶体管没有失效;再将n型Si衬底和源极电极之间的栅压从0V逐渐增加到10V,测试通过栅极的电流,最后在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压,在n型Si衬底和源极电极之间施加扫描电压-4V~4V,得到晶体管的转移特性曲线,表现为单向导电性,则石墨烯场效应晶体管失效;通过测试晶体管的转移特性曲线即可判别出该器件是否已经发生击穿,操作简便。
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