本发明公开了一种功率MOS失效位置的判定方法,包含:步骤1,去除样品
芯片表面钝化层,暴露出金属;步骤2,采用亮点定位工具定位出亮点;步骤3,采用激光成像技术,记录下亮点及其周围的晶粒的形貌;步骤4,在亮点附近做出标记位置;步骤5,在聚焦离子束机台下找到标记位置,并找到亮点对应的晶粒交界,进行切片分析,从而找到失效位置。
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