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三维存储器失效样品制备方法

673   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:35
本发明公开了一种三维存储器失效样品制备方法,属于集成电路的失效分析领域,一种三维存储器失效样品制备方法,包括以下步骤:步骤一、将芯片表面金属层去除;步骤二、将去除金属层的芯片置于机械研磨设备的样品台上;步骤三、调整样品台位置,使芯片目标分析区位于微抛光磨头的正下方;步骤四、调整微抛光磨头的位置,使其接触芯片表面,微抛光磨头与芯片表面接触角为45度;步骤五、设定微抛光磨头移动距离,然后开启微抛光磨头旋转。本发明,通过结合高精度机械研磨和聚焦离子束,实现弧形侧壁结构,在垂直视角下即可对三维堆叠层数进行准确计数,比较垂直侧壁结构,能够更快速及准确的找到失效位置,提高分析效率和准确度。
声明:
“三维存储器失效样品制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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