本发明公开了一种三维存储器失效样品制备方法,属于集成电路的失效分析领域,一种三维存储器失效样品制备方法,包括以下步骤:步骤一、将
芯片表面金属层去除;步骤二、将去除金属层的芯片置于机械研磨设备的样品台上;步骤三、调整样品台位置,使芯片目标分析区位于微抛光磨头的正下方;步骤四、调整微抛光磨头的位置,使其接触芯片表面,微抛光磨头与芯片表面接触角为45度;步骤五、设定微抛光磨头移动距离,然后开启微抛光磨头旋转。本发明,通过结合高精度机械研磨和聚焦离子束,实现弧形侧壁结构,在垂直视角下即可对三维堆叠层数进行准确计数,比较垂直侧壁结构,能够更快速及准确的找到失效位置,提高分析效率和准确度。
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