在裸片级上对半导体良率进行模型化以预测容易发生过早使用寿命失效(ELF)的裸片。依据从半导体制造过程中的晶片测试获得的参数数据进行第一裸片良率计算。仅依据裸片位置进行第二裸片良率计算。所述第一裸片良率计算与所述第二裸片良率计算之间的差是预测差值。基于对所述第一裸片良率计算和所述预测差值的评估,可识别过早使用寿命失效的可能性并且可确立可接受的裸片损耗水平以从进一步处理移除裸片。
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