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判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法

892   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:34
本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
声明：
“判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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