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通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构

746   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:33
本申请提供了一种通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构，该测试结构包括：半导体结构层，为单晶硅结构层和/或多晶硅结构层；多个金属部，包括第一金属部和第二金属部，第一金属部通过第一金属导电柱与半导体结构层电连接，第二金属部通过第二金属导电柱与半导体结构层电连接。该测试结构解决了现有技术中难以评估多晶硅‑通孔界面或者单晶硅‑通孔界面的可靠性的问题。
声明：
“通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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