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CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置

894   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:33
本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置,属于集成电路技术领域。预测方法包括:确定CMOS器件的基础EOS失效率;确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子;获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果,并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值,其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大;基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值,建立针对EOS失效率的预测模型,以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析,综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素,所得到的EOS失效率的预测值更为精准,从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
声明:
“CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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