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半导体器件失效检测方法

875   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:33
本发明公开了一种半导体器件失效检测方法,用于对所述半导体器件的栅极与源极之间进行短路检测,所述半导体器件至少包括:衬底、在所述衬底上层叠排列的多层栅极层、在所述衬底上表面分立分布的多个源极区、所述衬底的接触栓塞和所述栅极层的接触栓塞;其中,所述衬底与所述源极区之间形成PN结;所述方法包括以下步骤:在所述衬底的接触栓塞与所述栅极层的接触栓塞之间加电压,测量流过所述衬底的接触栓塞与所述栅极层的接触栓塞的电流值;基于所述电流值的测量结果,判断所述半导体器件的栅极与源极之间是否短路。
声明:
“半导体器件失效检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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