本发明公开了一种半导体器件失效检测方法,用于对所述半导体器件的栅极与源极之间进行短路检测,所述半导体器件至少包括:衬底、在所述衬底上层叠排列的多层栅极层、在所述衬底上表面分立分布的多个源极区、所述衬底的接触栓塞和所述栅极层的接触栓塞;其中,所述衬底与所述源极区之间形成PN结;所述方法包括以下步骤:在所述衬底的接触栓塞与所述栅极层的接触栓塞之间加电压,测量流过所述衬底的接触栓塞与所述栅极层的接触栓塞的电流值;基于所述电流值的测量结果,判断所述半导体器件的栅极与源极之间是否短路。
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