本发明涉及电子器件辐射效应领域,特别是涉及一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统,通过对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;获取所述SRAM阵列的总容量;根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。在此方案中,所述测量数据为对SRAM进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据,所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的SRAM器件失效率的准确度,从而实现SRAM器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价,解决我国目前SRAM器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。
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