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用于发光二极管失效分析的芯片取出方法

743   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:31
本发明涉及一种用于发光二极管失效分析的芯片取出方法,本方法好处在于通过调控腐蚀剂的浓度、温度和腐蚀时间,迅速把半导体封装结构中环氧树脂去除掉,再用清洗剂把裸露出的半导体发光二极管芯片进行清洗,以达到把半导体发光芯片完好的从封装结构中取出目的。本方法简单易操作,对半导体发光芯片表面和性能无本质影响,是半导体发光芯片失效分析中一种非常重要的方法。
声明:
“用于发光二极管失效分析的芯片取出方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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