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封装芯片失效分析样品的制备方法

1048   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:30
本发明公开了一种封装芯片失效分析样品的制备方法,其包括如下步骤:步骤一,提供待分析封装芯片;步骤二,采用丙酮浸泡待分析封装芯片,拆除散热盖并擦除晶粒表面的散热胶;步骤三,将多块第一硅片粘接在基板临近晶粒的位置;步骤四,在晶粒顶面粘接固定盖玻片;步骤五,进行混合胶冷埋镶嵌,使得待分析封装芯片固化在透明环氧树脂内部;步骤六,研磨基板底面,使得基板减薄以接近晶粒,并将第二硅片粘接在基板底面;步骤七,沿晶粒侧面研磨第一硅片至待观察的芯片位置,得到封装芯片失效分析样品。其能够避免截面研磨过程中因外部应力的引入导致的芯片结构破坏,提高制样成功率并保持晶粒的原有状态,保障了后续截面形貌观察的效果。
声明:
“封装芯片失效分析样品的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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