本发明公开了一种封装
芯片失效分析样品的制备方法,其包括如下步骤:步骤一,提供待分析封装芯片;步骤二,采用丙酮浸泡待分析封装芯片,拆除散热盖并擦除晶粒表面的散热胶;步骤三,将多块第一硅片粘接在基板临近晶粒的位置;步骤四,在晶粒顶面粘接固定盖玻片;步骤五,进行混合胶冷埋镶嵌,使得待分析封装芯片固化在透明环氧树脂内部;步骤六,研磨基板底面,使得基板减薄以接近晶粒,并将第二硅片粘接在基板底面;步骤七,沿晶粒侧面研磨第一硅片至待观察的芯片位置,得到封装芯片失效分析样品。其能够避免截面研磨过程中因外部应力的引入导致的芯片结构破坏,提高制样成功率并保持晶粒的原有状态,保障了后续截面形貌观察的效果。
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