本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种硅晶棒的处理方法及切片方法。本发明公开了硅晶棒的处理方法,包括:对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理,去除所述硅晶棒表面的氧化层;对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定,使用粒度为#200~#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理,形成槽区;使用粒度为#700~#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨;在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理,去除所述槽区内的表面损伤。本发明还公开了利用上述方法处理硅晶棒后,进行多线切割,形成硅片的切片方法。本发明的硅晶棒处理方法可以形成无损伤的开槽,降低裂片形成几率。
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