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CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器

1041   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:25
CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器,包括一个双向光栅耦合器,由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成,均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口,模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导,实现无损耗光传输及模式转换;一个双介质包层,位于双向光栅耦合器上方,用于抑制对入射光的向上反射;一个CMOS IC芯片,作为CMOS后工艺的衬底,其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜;一个二氧化硅隔离层,位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间,作为双向光栅耦合器下包层;一个环形金属对准标记,位于双介质包层上方,环绕在双向光栅耦合器周围,用于测试时对单模光纤进行对准。
声明:
“CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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