本发明公开了一种连接探针、其制备方法及在微电极阵列连接中的用途。属于微电极阵列技术领域。本发明的连接探针包括基底以及位于所述基底上且间隔设置的阵列单元,所述阵列单元包括由下到上的金属种子层和金属镀层。本发明利用传统的MEMS工艺,创新设计,解决了高密度微电极阵列难以进行电学测试和可靠性测试,或在进行测试过程中会损伤微电极阵列的问题。利用MEMS加工制备精度高,微型化等特点,可制备用于高密度柔性微电极测试的探针,可达到无损测试效果,而且,本发明的连接探针使用可逆,测试完成后取下可重复使用。
声明:
“连接探针、其制备方法及在微电极阵列连接中的用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)