本发明属于半导体技术领域,公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管,包括以下结构:衬底;GaN层,设置于所述衬底的上表面;Ti
3C
2肖特基接触层和欧姆接触层,相对设置于所述GaN层上表面的两侧;金属触点层,设置于所述Ti
3C
2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能,响应度率大,比探测率高,响应速度快,且具有高电流开关比;所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺,对半导体表面无损伤,工艺简单。
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