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紫外光电二极管及其制备方法

746   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:57
本发明属于半导体技术领域,公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管,包括以下结构:衬底;GaN层,设置于所述衬底的上表面;Ti3C2肖特基接触层和欧姆接触层,相对设置于所述GaN层上表面的两侧;金属触点层,设置于所述Ti3C2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能,响应度率大,比探测率高,响应速度快,且具有高电流开关比;所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺,对半导体表面无损伤,工艺简单。
声明:
“紫外光电二极管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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