本发明提供了一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法,包括以下步骤:a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构;b.测量所述测试结构的质量,得到容差范围;c.测量待监控晶圆的质量,并与所述容差范围进行比较,若待监控晶圆的质量值在容差范围内,则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求;若不在容差范围内,则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求,需要对刻蚀工艺条件进行调整。本发明采用无损伤的高精度质量量测方法,通过测量硅深孔硅刻蚀后的质量,来间接表征硅深孔刻蚀深度是否达到工艺要求。晶圆整片测量,不需要特定测试结构,方便快捷;且反馈结果直观,快速,准确,且对晶圆无损伤。
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