本实用新型提供了一种增强型半导体结构,增强型半导体结构包括:自下而上分布的半导体衬底、异质结结构、帽层、第一钝化层以及第二钝化层;贯穿第一钝化层与第二钝化层的凹槽;以及至少位于凹槽的内壁的栅极绝缘层。在干法刻蚀第二钝化层形成凹槽后,第一钝化层可用于刻蚀终点检测,避免过刻蚀。在第二钝化层凹槽处暴露出的第一钝化层,可通过湿法刻蚀去除。湿法刻蚀去除第一钝化层时,帽层具有极高的稳定性,所以湿法腐蚀去除第一钝化层后,不会损伤帽层。无损伤的帽层能有效降低异质结结构的表面缺陷,以降低电子被缺陷捕获的几率,实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻。
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