本发明公开了一种高效调控CVD单晶金刚石局部区域位错密度的方法。本方法采用等离子体刻蚀、表面形貌检测以及正交偏光成像等复合技术,能够快速、无损判断金刚石衬底中的高位错密度区域。通过飞秒激光等高能粒子束,对金刚石衬底中高位错密度区域进行灵活、高效的图形化加工。结合在图形化区域中掩膜材料的选取与铺设,此方法能够阻断加工图案底部区域位错向CVD金刚石生长层的延伸,调控图案侧面区域位错线的延伸方向,释放图形化区域生长过程中的应力,从而能够有效降低CVD金刚石生长层中局部区域的位错密度和残余应力,实现对生长层中缺陷和结晶质量的针对性调控,提高CVD金刚石生长的均匀性和晶体质量。
声明:
“高效调控CVD单晶金刚石局部区域位错密度的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)