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基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器

1194   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:58:53
本发明公开了一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器。该细胞传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构,包括:在SO1衬底上的通过FinFET制造工艺形成的Si纳米线、通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极;在该细胞传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层。本发明的细胞传感器能够对活体细胞进行快速、准确、无损和高灵敏度的检测,而且该细胞传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。
声明:
“基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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