本发明公开了一种判定晶体管键合弹坑的方法,检测步骤为:1)配氢氧化钠溶液,放入烧杯,加热;2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中;3)键合铝丝和
芯片表面的铝完全反应掉后,取出,用酒精清洗干净后,在显微镜中观察;4)观察清洗后的芯片,在键合点位置是否有损伤,如果有损伤,说明当前键合工序键合是有问题的,需要调整,如无损伤,说明当前键合工序键合是有问题的。本发明通过化学方法对样品进行腐蚀解剖,去除芯片表面的铝层,观察铝层下面的硅层状态来判断键合质量的好坏,检测步骤简单,检测效果好。
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