一种基于表面增强拉曼散射效应的
碳纳米管太赫兹传感模型,由碳纳米管球阵列和半导体基底构成,碳纳米管球阵列位于半导体基底材料表面,阵列结构为线型阵列或环形阵列;碳纳米管球半径为0.1-300微米,球与球的表面距离为1-100纳米;半导体基底为介电常数为4-20的任意
半导体材料;太赫兹电磁波从传感模型的侧面入射,当太赫兹电磁波的入射频率与传感模型的等离子共振频率接近时,产生最高的等离子体局域电场增强。本发明的优点是:该碳纳米管太赫兹传感模型,使吸附分子的接触面积增大、灵敏度高、检测成本低;应用太赫兹波为入射波,使目标待检物得范围更广、生物适应性更好,在无损探测,医疗检测上有更广泛的应用。
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“基于表面增强拉曼散射效应的碳纳米管太赫兹传感模型” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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