本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法,针对现有技术中,在外延生长数百周期InAs/GaSb超晶格材料时,InAs与GaSb之间存在晶格失配,累积的应力导致InAs/GaSb超晶格材料中形成大量的生长缺陷的问题,本发明提出一种两步Sb浸润的方法,在生长InAs层之后先沉积一层Sb,形成富Sb表面,然后沉积In,之后再沉积一层Sb,使In与Sb充分反应,形成高质量的InSb界面层,以此平衡和消除InAs与GaSb之间的应力,提高InAs/GaSb超晶格材料的质量。同时,本发明在InAs/GaSb超晶格结构和GaSb衬底之间引入AlAsSb牺牲层,实现了衬底的无损剥离。
声明:
“InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)