本发明公开了一种基于二维材料/绝缘层/半导体结构的宽光谱光电探测器,包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极,二维材料薄膜上表面水平间隔布置有漏极与源极;半导体衬底的底部设有异质结。入射光照射到器件表面时,被半导体衬底和异质结吸收,产生的少数载流子注入积累到由脉冲栅压形成的衬底深耗尽势阱中。由于二维材料的特殊性质,其通过电容耦合有效收集载流子,输出光电流的信号,实现随机、无损和高速读出;本发明可有效扩宽光电探测器的光谱响应范围,实现从紫外光、可见光到红外光的宽光谱探测,同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式,提高系统的响应速度和可靠性。
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