本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法,主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是:将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台;依次对GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面进行对光;以不小于50nm的步长减小x射线透射深度,并在各透射深度下获取(103)晶面的布拉格角;将测得的一组布拉格角代入布拉格方程,得到一组(103)晶面的面间距;根据这一组面间距计算c面GaN材料应力沿c轴分布的信息。本发明测试成本低,对被测材料无损伤,能获取一组应力沿c轴的分布信息,可用来分析c面GaN材料应力沿c轴的分布。
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