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半导体核辐射探测器及其制备方法和应用

756   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:37
本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。
声明：
“半导体核辐射探测器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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