本发明适用于核辐射探测技术领域,提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:用溴甲醇溶液对CsPbBr
3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理;用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理,形成钝化层;对钝化层的中央部分进行刻蚀处理,形成刻蚀区域;在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极;以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极,得到半成品;将半成品置于保护气氛下进行退火处理,得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测,其具有探测极限低,方便携带等优点。
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