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半导体核辐射探测器及其制备方法和应用

749   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:58:37
本发明适用于核辐射探测技术领域,提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理;用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理,形成钝化层;对钝化层的中央部分进行刻蚀处理,形成刻蚀区域;在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极;以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极,得到半成品;将半成品置于保护气氛下进行退火处理,得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测,其具有探测极限低,方便携带等优点。
声明:
“半导体核辐射探测器及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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