本发明属于光学领域,涉及一种纳米级薄膜厚度的测量方法,特别是指一种利用光子自旋霍尔效应测量纳米级薄膜厚度的方法。步骤如下:建立不同材料、各薄膜厚度下,PSHE分裂位移随入射偏振态变化的理论数据库;选取一组入射偏振,使入射光以某一初始入射偏振入射到被测薄膜表面,并获取此入射偏振下的自旋分裂位移;依次改变入射光的偏振角度,得到自旋分裂位移随入射偏振角变化的测量数据;将所得测量数据与各薄膜厚度下的理论数据进行计算和比对,确定被测薄膜的厚度。本发明利用不同入射偏振下的PSHE的自旋分裂位移与薄膜厚度的依赖关系,实现对金属和非金属材料薄膜厚度的非接触、无损的高精度测量,该测量系统结构简单、便于操作。
声明:
“利用光子自旋霍尔效应测量纳米级薄膜厚度的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)